ONLINE: Halbleiter mit großer Bandlücke

Berliner Physikalisches Kolloquium

Lecture
Date:
Th, 01.07.2021 18:30  –   Th, 01.07.2021 20:00
Sprecher:
Prof. Dr. Marius Grundmann, Felix-Bloch-Institut für Festkörperphysik, Universität Leipzig
Adresse:
Magnus-Haus Berlin
Am Kupfergraben 7, 10117 Berlin, Germany

Language:
Deutsch
Event partner:
Magnus-Haus Berlin , Freie Universität Berlin , Humboldt-Universität zu Berlin , Technische Universität Berlin , Universität Potsdam , Wilhelm und Else Heraeus-Stiftung , Physikalische Gesellschaft zu Berlin e. V.
Contact person:
Andreas Böttcher,
DPG Association:
Physikalische Gesellschaft zu Berlin e. V. (PGzB)  
External Link:
Zugangsdaten für die Online-Übertragung

Description

Dieser Vortrag wird zum angegeben Zeitpunkt ausschließlich ONLINE zu verfolgen sein. Im Anschluss an den Vortrag ist Gelegenheit, Fragen zu stellen. Für den Erhalt der Zugangsdaten nutzen Sie bitte den obigen Link.

Eine gemeinsame Veranstaltung der Physikalischen Gesellschaft zu Berlin e.V., der Freien Universität Berlin, der Humboldt-Universität zu Berlin, der Technischen Universität Berlin und der Universität Potsdam ‒ gefördert durch die Wilhelm und Else Heraeus-Stiftung

Die Materialklasse der Oxid-Halbleiter mit großer Bandlücke hat industrielle Massenanwendung als transparente Elektroden und Transistoren in Touchscreens und Displays gefunden. Wir diskutieren physikalische Grundlagen und anwendungsrelevante Herausforderungen. Die meisten dieser Materialien sind vom n-Typ. Lösungen für den Mangel an geeigneten p-Typ Halbleitern stellen ggf. Materialien wie AB2O4-Spinelle (A=Zn, B=Co,Rh,Ir), Sn2+-Verbindungen oder Kupferiodid dar. Neue Fortschritte auf diesen Gebieten werden diskutiert. Großes Anwendungspotenzial von Halbleitern mit großer Bandlücke besteht auch in der Hochleistungselektronik. Als Fortsetzung der Erfolgsstory von Si und SiC in der Hochleistungselektronik gerät außer dem (Al,Ga)N-System die Ga2O3-basierte Elektronik in den Fokus, da hohe Durchbruchsfeldstärken mit der Verfügbarkeit großer Substratflächen kombiniert werden können. Wir berichten über Epitaxie und Eigenschaften der beiden Legierungssysteme (Ga,In)2O3 und (Al,Ga)2O3 in ihren verschiedenen Kristallphasen (monoklin, rhombohedrisch, orthorhombisch und kubisch).ießlich wird die Rolle und Bedeutung von Farbzentren in Diamant für die zukünftige Festkörperbasierte Quanteninformationstechnologie beleuchtet.

Moderation: Holger Grahn, Physikalische Gesellschaft zu Berlin

Kolloquium_20210107.pdf